Abstract FR:

Apres avoir rappele le principe de la technique de croissance d'epitaxie par jets moleculaires, presentation d'un ensemble de caracterisations magneto-electriques (effet hall a bas champ magnetique, magneto-resistance et effet a fort champ magnetique), mais aussi des resultats purement electriques de c(v). Analyses par spectroscopie de masse d'ions secondes et mesures de double diffraction x. Tres bon accord entre ces resultats experimentaux et les investigations theoriques sur ces structures. Application de la technique a l'elaboration de dopages intenses, de contact ohmiques non allies et de transistors a effet de champ dont le canal est constitue par un dopage plan. Les performances presentees montrent les potentialites des dopages plan dans l'application a des structures de plus en plus sophistiquees