Abstract FR:

Etude de la degradation de la surface plane si(111) par implantation d'ions ar**(+) a temperature ambiante. Lorsque la dose d'ions implantes augmente, l'intensite des taches du diagramme de diffraction diminue progressivement et les marches atomiques, observees en microscopie electronique par reflexion, disparaissent. Lorsque l'energie incidente des ions ar**(+) augmente, la vitesse de degradation de la surface diminue. Apres disparition complete des marches atomiques, un recuit thermique "in situ" de quelques minutes a 575**(o)c permet de retrouver la topographie de la surface initiale. Le recuit provoque la desorption complete de l'argon implante et de retour en sites des atomes de la surface