Abstract FR:

L'epitaxie par jet moleculaire de si avec implantation d'ions dopants a faible energie (ejm2i) est l'une des techniques proposees pour eviter les problemes dus a la segregation des dopants n (as ou sb) en ejm-si. Nous avons etudie la potentialite de cette methode dans le cas du dopage planaire (-dopage) en prenant pour reference les resultats obtenus sur des couches dopees en cours de croissance. Les couches -dopees presentent d'apres l'analyse rheed une bonne qualite cristallographique malgre les arrets de croissance et les reprises d'epitaxie. Des profils hyperabrupts ont ete obtenus avec des lmh de l'ordre de 90 a d'apres l'analyse sims et voisines de 25 a d'apres les mesures c(v) et le calcul de simulation. Contrairement au cas du dopage en cours de croissance, le taux d'incorporation de dopants n'est pas toujours de 100% a cause de l'exodiffusion d'une partie de dopants implantes. Par contre, le taux d'activite electrique est de 100% quel que soit le temps d'implantation, ce qui montre que tous les dopants incorpores se placent en position substitutionnelle. En raison de la separation geometrique des porteurs et de leurs impuretes parentes dans les couches -dopees, les mobilites de porteurs sont largement superieures a celles du materiau massif. Le gain en mobilite varie de 2 a 5 a 300#ok et de 5 a 25 a 100#ok. Des structures misfet ont ete elaborees sur des couches -dopees as, le dopage trop eleve dans le canal (10#1#3 cm##2) et le niveau de dopage residuel (10#1#7 cm##3) n'ont pas permis d'atteindre le pincement du canal. Un calcul de simulation a montre qu'avec un niveau de dopage surfacique dans le canal de l'ordre de 10#1#2 cm##2 et un dopage residuel de 10#1#6 cm##3 dans la couche tampon devrait permettre le pincement du canal