Abstract FR:

On etudie le mecanisme de croissance et les proprietes electroniques de films d'oxyde anodiques formes sur le titane sous irradiation alpha, grace a un dispositif experimental permettant de faire varier de facon controlee le depot d'energie de part et d'autre de l'interface metal/solution. On teste ainsi principalement l'effet des excitations electroniques. L'etude couplant electrochimie et spectrometrie d'emission au plasma afin de doser le titane dissous en solution met en evidence deux regimes de croissance. On montre ainsi que l'irradiation favorise soit la reactivation de l'electrode de titane cible lorsque le spectre des energies des alpha est limite a 1. 6 mev (regime ii), soit sa passivation lorsque le spectre est etendu jusqu'a 3 mev (regime i). L'etude photoelectrochimique corrobore ces resultats: on retrouve dans le regime i l'allure du spectre de photoreponse attendu hors irradiation dans les memes conditions (seuil d'absorption abrupte et photoreponse sub-gap). En revanche le seuil d'absorption optique est etendu et non structure dans le regime ii, resultat typique d'un film mince et desordonne, photoactif sur une faible epaisseur. On suggere que ces resultats peuvent s'interpreter par une modification de la repartition de la chute de potentiel entre le cote film et le cote solution de l'interface, induite par le depot d'energie, principalement sous forme d'excitations electroniques, dans les deux phases. En parallele, on a realise l'etude photoelectrochimique des effets d'endommagement crees en irradiant des couches d'oxyde anodique de titane obtenues dans un stade avance de la reaction d'anodisation aux ions helium de faible energie (7 kev - 17 kev). On montre que les modifications de la densite d'etat dans le gap et du processus de transport electronique dues a l'irradiation decroissent au fur et a mesure de l'epaississement et de la cristallisation du film pour les valeurs de flux testees