Abstract FR:

Cette etude concerne l'elaboration par epitaxie par jets moleculaires de couches minces de cdte(001) et cdte(111) sur substrats gaas orientes (001). La croissance debute par une phase d'adsorption de tellure qui determine l'orientation de la croissance (001) ou (111) de cdte. Differentes surfaces precurseurs ont ete mises en evidence par diffraction d'electrons en incidence rasante et par spectroscopie de photoelectrons. Leurs roles respectifs sur l'orientation ulterieure de la couche ont ete definis. L'etablissement d'un diagramme de phase de ces surfaces a permis d'aborder de facon efficace les problemes de la croissance de cdte sur gaas. La croissance (001) de cdte directement sur gaas s'avere delicate. Un depot prealable d'une couche tampon de znte permet d'obtenir des couches de cdte(001) de bonne qualite cristalline. Des contraintes d'origine thermique subsistent, meme pour des epaisseurs de plusieurs microns. La croissance (111) de cdte a ete mise au point, dans un premier temps, sur des substrats de gaas nominaux. Les qualites cristallines et optiques des couches sont limitees par la presence de nombreuses macles et de contraintes residuelles. L'utilisation de substrats de gaas desorientes suivant la direction des liaisons pendantes gallium, permet de s'affranchir des macles. On observe une meilleure relaxation des contraintes d'origine thermique. Les couches de cdte(111) ainsi elaborees presentent une excellente qualite cristalline et leurs proprietes optiques sont voisines de celles des couches de cdte(001)