Etude des mécanismes de la double ionisation de l'hélium par impact électronique
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Abstract EN:
Recent high-energy experiments indicate that the one-step mechanism is insufficient. We have performed a calculation that takes into account all the two-step mechanisms of double ionization. This calculation uses the second Born approximation and correlated wave functions for the initial bound state. We show that the two-step processes are not negligible even for an high incident energy.
Abstract FR:
De récentes expériences de double ionisation ont montré l'insuffisance du modèle basé sur la description du mécanisme d'éjection en une étape. Nous avons conçu un modèle tenant compte des mécanismes en deux étapes où deux électrons de la cible sont éjectés par chocs successifs de l'électron incident et par chocs internes. Le calcul entrepris dans le cadre de ce modèle nécessite l'utilisation de la seconde approximation de Born et des fonctions d'ondes corrélées pour décrire les états initial et final de la cible. Nous avons montré que les processus à deux étapes ne sont pas négligeables même à haute énergie incidente.