Abstract FR:

Les non-linearites de l'arseniure de gallium (gaas) sont etudiees a la longueur d'onde 1,06 micron en regime nanoseconde et picoseconde. En regime nanoseconde, les porteurs libres (electrons et trous) sont crees par photoionisation des centres profonds el2. Ils provoquent une variation de permittivite du milieu tandis que l'evolution des densites de centres neutres et ionises change principalement l'absorption. L'etude de la reflectivite par une experience de conjugaison de phase montre qu'un troisieme effet doit etre pris en compte pour de forte energie, le mouvement non-lineaire des electrons. Cet effet est etudie dans un echantillon dope n d'arseniure de gallium. Aucune amplification n'a ete observee dans des experiences de melange a deux ondes. En regime picoseconde, la variation de permittivite induite par absorption a deux photons predomine sur les effets presentes precedemment. Nous montrons que les non-linearites sont suffisamment importantes pour obtenir de forte amplification (fois 25) dans un melange a deux ondes