Effet Stark quantique dans les puits de CdTe/CdZnTe et développement d'un dispositif photoréfractif
Institution:
Université Joseph Fourier (Grenoble)Disciplines:
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Abstract FR:
Nous presentons le developpement et l'etude d'un dispositif photorefractif a puits quantiques ainsi que les mecanismes physiques fondamentaux associes a ce type de composants. La structure de bande de type i pour les trous lourds et de type ii pour les trous legers permet une mesure precise du decalage de bande de valence de cdte/cd#. #7#2zn#0#. #3#8te egal a +11% 2%. Cette situation particuliere produit une degenerescence entre niveaux de trous lourds et trous legers. Dans les puits peu profonds, l'exciton leger est de type i grace au potentiel coulombien exerce par l'electron sur le trou leger. Sous champ electrique, nous mettons en evidence une transition type i-type ii de l'exciton leger. Lorsque l'energie de liaison de l'exciton augmente, la constante dielectrique et l'interaction des excitons avec le reseau diminuent. L'observation de complexes exciton-phonon a basse temperature et leur disparition progressive lorsque l'energie de liaison augmente est favorable a cette interpretation. Une absorption excitonique intense a temperature ambiante est cependant observee lorsque l'energie de liaison est proche ou superieure a l'energie des phonons optiques longitudinaux. En nous fondant sur ces resultats, nous avons developpe un dispositif photorefractif a partir d'une diode schottky et nous avons mesure un rendement de diffraction proche de la valeur theorique. Un maintien du reseau de diffraction inscrit de quelques microsecondes necessite un blocage des porteurs qui ecrantent localement le champ applique. L'introduction de barrieres de potentiel en cdmgznte bloquent efficacement le mouvement perpendiculaire des electrons. Un modele qualitatif et des simulations numeriques permettent de cerner le comportement dynamique du dispositif. La diffusion laterale a l'interface est acceleree par le gradient de potentiel entre zones eclairees et sombres et limite le temps de maintien du reseau. Par des mesures de type pompe-sonde, nous avons determine la diffusion laterale et sa dependance avec le champ applique