Abstract FR:

La technique du photocourant module (pcm) permet de caracteriser la densite d'etats (de) dans la bande interdite (bi) dans les semi-conducteurs (sc). On eclaire le sc avec une lumiere module alternativement dans le temps. Le pcm obtenu a la meme frequence de modulation, mais il est dephase par rapport a l'excitation lumineuse : un analyse theorique montre que la partie alternative du pcm est liee aux processus de piegeage et depiegeage et de recombinaison des porteurs libres avec les etats dans la bi. Deux regimes sont a distinguer celui a haute frequence correspondant au piegeage et depiegeage, a partir duquel on peut obtenir des renseignements sur la de dans la bi, et celui de basse frequence correspondant au regime de recombinaison. Dans le cas du silicium amorphe cette technique fournit une image de la partie superieure de la bi, pres de la bande de conduction. Dans une premiere partie nous avons utilise cette technique pour caracteriser la de dans le silicium amorphe hydrogene et dans les alliages de silicium-germanium en fonction de differentes conditions de depot. Dans la deuxieme partie, nous avons utilise cette technique sur des structures transverses : des diodes de type schottky, ou les grandeurs physiques ne sont pas homogenes. Nous avons mis en evidence experimentalement que la lumiere module induit sur les diodes un champ qui est module et qui provoque la modification de l'occupation des etats places pres du niveau de fermi qui doit etre prise en compte sur ce type de structure.