Etude par CVD des systèmes SI-B-C-CL-H et TI-B-C-CL-H : Caractérisation des dépots
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Des depots des systemes si-b-c et ti-b-c ont ete elabores par depot chimique (c. V. D. ), a partir des melanges gazeux (ch#3)#4si-bcl#3-ch#4-h#2 et ticl#4-bcl#3-ch#-h#2 sous pression reduite. Ces systemes ont ete etudies respectivement par une methode de planification experimentale et par une etude parametrique theorique et experimentale. Les caracteristiques chimiques structurales et microstructurales des solides obtenus ont ete determinees. Chaque systeme donne lieu a une famille originale de materiaux en raison: -de l'existence de phases tres peu connues: (si,b)c cubique, b#4#8c#2ti#2##x quadratique; -de microstructures particulieres: materiaux tres finement divises (si-b-c, composites triphases de type dispersoide (ti-b-c). Les materiaux du syteme si-b-c recouvrent un large domaine de duretes et de modules elastiques tandis que ceux du systeme ti-b-c atteignent des duretes remarquablement elevees. Les revetements des deux familles de materiaux presentent un excellent comportement tribologique vis-a-vis du carbure de bore. Leur comportement a l'abrasion par un jet de particules s'avere cependant inferieur a celui du carbure de bore. Par contre, la resistance a l'oxydation est amelioree par rapport au carbure de bore surtout dans le cas du systeme si-b-c