Abstract FR:

Le but de la presente these consiste en l'elaboration et les caracterisations, pour le photovoltaique, de couches minces texturees de chalcogenures d'indium in#2x#3 (x=se, te) binaires et ternaires. Dans le cadre de ce travail, nous avons commence par la mise au point d'une nouvelle technique d'obtention de couches minces de -in#2se#3 (un semi-conducteur binaire de la famille iii-vi) de haute qualite cristalline. Cette technique consiste en l'evaporation thermique alternee, sous vide, d'indium et de selenium sur des substrats de differentes natures, initialement a temperature ambiante. La cristallisation de ces couches minces a ete obtenue par recuit sous atmosphere neutre (ar, n#2). Leur caracterisation a ete realisee en utilisant la diffraction des rayons x, la spectroscopie de photoelectrons (xps), la diffusion raman, la micro-analyse par sonde electronique et le microscope electronique a balayage (meb). Des mesures electriques, optiques et de photoconductivite ont egalement ete realisees sur ces couches. Les couches polycristallines ainsi obtenues sont homogenes, stchiometriques, texturees et photoconductrices. Afin d'ameliorer les proprietes optiques, electriques et photoconductrices de ces couches minces, nous avons synthetise le compose ternaire -in#2se#3##xte#x et nous avons ainsi ameliore ces proprietes en vue d'utiliser nos couches absorbantes dans de futures cellules solaires. Nous avons, ensuite, avec la meme technique experimentale, realise des couches minces hautement orientee de -in#2se#3 qui est la phase haute temperature de ce compose, ainsi que des couches minces polycristallines de -in#2te#3.