Abstract FR:

En s'appuyant sur les resultats experimentaux de la croissance de ga::(x)in::(1-x)as/inp en phase vpeur par la methode aux hydrures et sur une theorie cinetique de croisssance qui permet d'exprimer facilement le rapport des pressions partielles de chlorures en fonction de x, detection et analyse de differents phenomenes en jeu dans la croissance. Calcul des parametres necessaires a la prise en compte de ces phenomenes pour la determination des pressions partielles reelles de chacun des constituants de la phase vapeur dans chaque experience realisee. La maitrise de la cinetique du depot et de la composition de la couche de ga::(x)in::(1-x)as est de ce fait rendue possible dans l'epitaxie par la methode aux hydrures