Abstract FR:

Ce travail presente une etude des depots sur substrat de verre de silicium dope in situ au phosphore, par la technique de decomposition thermique de silane a basse pression ou lpcvd. L'objectif de cette etude est la maitrise du taux de dopage de l'element phosphore dans les couches minces de silicium elaborees a une temperature n'excedant pas 600c. Nous avons cherche les parametres de depot (temperature, pression, rapport ph#3/sih#4) qui conduisent a des films permettant la realisation de transistors couches minces