Spectroscopies thermique et optique des niveaux profonds dans les materiaux photorefractifs cdte : v et cdznte:v
Institution:
Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008)Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
Dans ce memoire nous avons montre la place privilegiee qu'occupent cdte:v et cd#1#-#xzn#xte:v parmi les materiaux photorefractifs. L'effet photorefractif et les notions de base sur les centres profonds, qui jouent un role fondamental dans les proprietes optiques et electriques des cristaux, sont expliques. La spectroscopie thermique (picts) montre que l'incorporation de zn dans la matrice de cdte:v modifie l'environnement des defauts. La variation thermique de la photoconductivite reflete celle du produit mobilite-duree de vie et la contribution de phonons acoustique (5 mev) et optique (20 mev). Les spectres de photoconductivite stationnaire, a differentes temperatures entre 80 et 350 k revelent sept structures attribuees a v#2#+ ou a v#3#+ et montrent que la largeur de la bande interdite varie lineairement avec t a un taux de -0. 47 mev/k. A part une bande qui varie avec une pente moitie, signifiant que le niveau correspondant est lie au sommet de la bande de valence, la transition se faisant vers la bande de conduction, toutes les autres structures ont une energie constante, suggerant qu'elles sont dues a des transitions internes ou a des transitions vers une bande a laquelle elles sont liees. L'etude de la variation thermique de l'amplitude de ces pics montre que les pics haute energie sont dus a des transitions a partir de centres v#2#+ vers la bande de conduction. En dessous de 230 k, les amplitudes des autres pics decroissent fortement (3 decades ou plus) lorsque t est abaissee. Cela s'explique en considerant un processus d'ionisation photo-thermique a deux etages. Les transitions internes d d* seraient suivies d'une stimulation thermique d* bc. Une etude complete a ete menee sur l'effet de la concentration de zn pour v constant, sur la largeur de la bande interdite a differentes temperatures et sur l'effet de la concentration de v dans cd#0#. #9#6zn#0#. #0#4te:v. Nous avons analyse les roles que jouent le zinc en tant que constituant minoritaire de cd#1#-#xzn#xte:v et en quoi il ameliore les proprietes de cdte:v , et du dopant vanadium et l'incidence de son etat de charge (v#2#+ ou v#3#+). Outre une avancee dans la comprehension des phenomenes impliques dans la photorefractivite et les transferts de charges induits par les differents eclairements, on montre qu'avec cd#1#-#xzn#xte:v on dispose d'un materiau versatile, capable d'etre module pour repondre a certains besoins specifiques.