Abstract FR:

Le travail presente dans ce memoire concerne le silicium poreux de type n, realise par attaque photo-electrochimique a partir de silicium monocristallin et polycristallin. La premiere partie traite du silicium monocristallin poreux de type n. L'influence de deux parametres d'anodisation (densite de courant et intensite d'eclairement) et du niveau de dopage sur les proprietes structurales et de photoluminescence a fait l'objet d'une etude systematique. La deuxieme partie s'interesse au silicium polycristallin poreux. Le silicium polycristallin utilise a ete depose amorphe par lpcvd puis cristallise par recuit thermique (le dopage etant effectue in-situ). La structure a ete examinee par microscopie electronique a balayage et en transmission. Les proprietes de photoluminescence ont ete etudiees en fonction de diverses conditions electrochimiques. Une comparaison entre les proprietes de photoluminescence du silicium polycristallin poreux et celles du silicium monocristallin poreux a egalement ete effectuee. Nous avons realise des couches polycristallines poreuses ayant des proprietes de photoluminescence similaire a celles du silicium poreux obtenu a partir de silicium monocristallin. Ces resultats ouvrent des perspectives pour l'utilisation de ce materiau pour des applications dans le domaine de l'optoelectronique