thesis
Conception et mise au point d'un analyseur hemispherique en vue de spectroscopies d'electrons resolues angulairement : caracterisation d'interfaces si/sio::(2) et si/sio::(x)n::(y) obtenues par implantation ionique a faible energie
Institution:
Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008)Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
Dans la region interfaciale, on retrouve toutes les configurations possibles de liaisons autour du tetraedre de si. Les profils de concentration de ces especes different selon que l'on fait l'oxydation ou l'oxynitruration. La distribution de ces especes a l'interface suit le modele theorique r. B. M. (random bonding model). Ce modele permet de comprendre la morphologie de l'interface et donc d'etablir la nature des liaisons chimiques entre les differents atomes (si-o-si et si-n-si)