Abstract FR:

A l'aide des differentes techniques de microscopie electronique en transmission, nous avons montre que les heterostructures gainas/gaas (001) fortement contraintes, elaborees dans des conditions proches de l'equilibre thermodynamique, presentent toujours une transition 2d3d du mode de croissance pour une faible epaisseur de la couche ternaire epitaxiee. Cette transition, qui a pour effet de relaxer les contraintes, se manifeste par l'apparition d'ilots gainas coherents. Nous avons propose un modele qui leve l'ambiguite qui substitait encore sur l'origine elastique ou plastique de la transition 2d3d. Sur des heterostructures elaborees avec des couches ternaires d'epaisseurs plus importantes, nous avons montre que les ilots coalescent, entrainant une modification de l'ondulation de surface, et il se forme, a la jonction entre les ilots, des vallees tres fortement contraintes. L'observation en haute resolution de dislocations a l'aplomb des recouvrements entre ilots, constitue la premiere mise en evidence experimentale d'une approche theorique inedite recemment publiee par gao. L'ensemble de ces resultats apporte la preuve que l'existence de fortes contraintes, correlee a une energie elevee de creation de dislocations, conduit d'abord, a une transition 2d3d qui relaxe les contraintes de facon purement elastique. Ensuite, la presence d'ilots conditionne completement la formation de dislocations et conduit a une interpretation originale de la relaxation plastique. Par ailleurs, en eloignant les conditions d'elaboration de l'equilibre thermodynamique, soit en abaissant la temperature de croissance, soit en utilisant le tellure comme surfactant, nous avons demontre qu'on pouvait repousser, voire inhiber, la transition 2d3d