Abstract FR:

Des implantations de bore et d'arsenic en forte concentration dans le silicium ont ete recuits dans des fours rapides. De nombreuses caracterisations physiques et electriques ont permis de comparer les proprietes resultantes du materiau a celles donnees dans la litterature. Pour ce qui est de la diffusion a tres forte concentration, nos resultats extrapolent correctement ceux deja publies. L'activation electrique, le role de l'oxygene et des defauts ponctuels ont ete abordes. Une attention particuliere est portee a l'observation en tem des defauts etendus residuels grace a une methode de preparation des echantillons performante