Abstract FR:

Il s'agit d'aborder du point de vue theorique et experimental le probleme de la localisation des excitons dans les alliages semiconducteurs ii-vi: 1) sur le plan experimental des experiences de photoluminescence et de photoluminescence excitee selectivement ont ete menees sur quelques alliages zn#xhg#1##xte riches en zinc. A basse temperature, les spectres de luminescence sont domines par une raie (l) situee en dessous du seuil excitonique et interpretee comme etant due a des excitons localises dans une queue de densite d'etats (dos) derivee des fluctuations de potentiel. Par ailleurs, en dessous de la raie principale apparait une bande plus large (b), qui se deplace vers les basses energies quand la temperature augmente. Cette bande provient d'excitons lies a des centres isoelectroniques constitues d'agregats d'atomes hg isoles dans la matrice znte; 2) sur le plan theorique, nous proposons un modele simple de (dos), obtenu en minimisant la fluctuation d'entropie associee a la fluctuation de composition moyennee sur un volume v, pour une energie de localisation donnee. Nous introduisons egalement un volume d'interaction critique v#c, defini comme etant le plus petit volume dans lequel la fluctuation peut exister. Partant de cette forme de (dos), nous avons modelise la forme de la raie de luminescence (l) a basse temperature. Pour rendre compte egalement de l'evolution, en fonction de la temperature, de la raie (l) nous avons etendu ce modele en y incluant les termes relatifs a l'activation thermique entre etats localises