Abstract FR:

Conditions d'utilisation de spectrometrie transitoire de niveau profond classique et optique. Cas des etats d'interface isolant-semiconducteur, effet de la densite. Etude des structures mis et mos. Dans le cas de defauts d'irradiaiton par les ions lourds de forte energie dans le silicium, trois pieges a porteurs majoritaires et six pieges a porteurs minoritaires ont ete identifies par spectrometrie transitoire de niveau profond normale et optique