Abstract FR:

Nous avons developpe une methode experimentale utilisant l'ellipsometrie pour la detection et l'analyse des phenomenes dynamiques induits dans les materiaux par une excitation lumineuse instationnaire. Ces phenomenes modifient indices et epaisseurs des materiaux, et donc et , ce qui se traduit par une variation du signal ellipsometrique usuel. A partir d'un ellipsometre spectroscopique du commerce (sopra), nous avons realise deux montages adaptes a chaque type d'excitation, modulee et impulsionnelle, et capables de mesurer des variations induites des parametres ellipsometriques tg et cos avec une sensibilite de 10##5. Parallelement, nous avons developpe une procedure experimentale et conduit un modele permettant de deduire des signaux mesures les valeurs des variations de tg et cos. Nous avons valide la methode experimentale par l'application a des echantillons massifs semiconducteurs de germanium et de silicium, une couche de pmma sur un substrat de silicium puis a une structure multicouche de simox. Ces resultats experimentaux sont discutes en fonction des effets physiques photoinduits et des processus susceptibles d'intervenir dans ces systemes