Abstract FR:

La spectroscopie des états électroniques intrinsèques et extrinsèques est menée dans l'arséniure de gallium (GaAs) fortement dopé par des impuretés miscibles comme l'aluminium et l'indium. Les excitations de l'azote, impureté peu miscible, sont également étudiées sous pression hydrostatique a basse température dans le binaire. A l'amorce de la formation de l'alliage, on analyse l'influence des éléments Al et In sur l'élargissement spectral de la recombinaison de l'exciton lié à l'accepteur neutre (A°X). La variation de l'énergie de liaison des accepteurs et l'éclatement des niveaux de A°X sont démontrés dans (Ga,Al)As. Des expériences de diffusion Raman électronique résonnante via le polariton dans son état excité (Xn=2) sur les donneurs neutres sont menées dans GaAs et (Ga,Al)As. On relève que la position de la réplique ne se situe pas à une énergie strictement constante de l'excitation et que son amplitude est maximale hors de la résonance Xn=2. La spectroscopie approfondie de l'azote conduit à la première mise en évidence de la molécule excitonique liée à l'impureté dans GaAs. Cette découverte contribue à l'identification d'un biexciton lié à N dans Ga(As,pP) et (Ga,In)P. L'interaction d'échange électron/trou de l'exciton lié à n est mesurée. Sur le plan instrumental, les conditions réelles de pression dans une enclume Piermarini sont déterminées par l'analyse de la contrainte uniaxiale résiduelle et de l'inhomogénéïte de pression. Toujours sous pression, l'influence du croisement de bande directe-indirecte sur les niveaux électroniques est étudiée dans GaAs. L'identification de la recombinaison d'un électron piège sur le niveau d'un donneur dépendant des minima X de la bande de conduction avec un trou libre de la bande de valence permet de déduire, dans le cadre de l'approximation de la masse effective, l'énergie de liaison du niveau et le couplage intervallées dû au potentiel du donneur