Abstract FR:

La croissance de (hg,cd)te par omcvd a basse temperature est rendue necessaire afin d'eviter l'interdiffusion entre les couches, de reduire la concentration de porteurs en diminuant la concentration de lacunes de mercure, de permettre l'utilisation de precurseurs du mercure, de reduire les contraintes thermiques introduites par la difference entre les coefficients d'expansion de la couche et du substrat. . . Dans ce but, de nombreuses techniques ont ete proposees et experimentees pour diminuer la temperature de croissance. Notre approche est l'omcvd conventionnelle a l'aide de precurseurs moins stables que le diisopropyltellure utilise classiquement pour les croissances imp a 350c de couches de grande dimension. Tout d'abord, le dimethylcadmium, le diallyltellure et le mercure metallique ont ete utilises pour obtenir des couches de hgte, cdte et hgcdte par croissance directe a une temperature aussi basse que 250c. Suivant la nature du substrat et les differents parametres, la purete, la perfection cristalline et les proprietes electroniques ont ete comparees. Dans un deuxieme temps, des couches hgcdte ont ete deposees avec du diethylcadmium, du methylallyltellure et du mercure elementaire car certains problemes dus a l'utilisation du date comme le manque de reproductibilite et l'insuffisance qualite cristalline avaient ete souleves. Les proprietes optiques (transmission ir, photoluminescence), electriques (effet hall) et structurales (double diffraction, kikuchi. . . ) sont presentees, elles montrent une amelioration de la qualite cristalline des couches