Abstract FR:

L'influence des recuits successifs sur les proprietes electroniques des surfaces de silicium a ete etudiee jusqu'a des temperatures de 1200c. Les mesures ont ete faites sur les surfaces (111) et (100) d'echantillons de silicium dopes soit avec du bore soit avec du phosphore. Au cours de ce travail, plusieurs techniques ont ete utilisees: la diffraction d'electrons lents a permis de suivre les changements de reconstruction des surfaces au cours des recuits, la spectroscopie auger a determine la composition des surfaces, la spectroscopie de rendement de photoemission a permis de suivre l'evolution des caracteristiques electroniques des surfaces (travail de sortie et densite des etats de surfaces). L'effet le plus significatif au cours du recuit consiste en une modification irreversible du dopage de l'echantillon initialement peu dope (de type n) au voisinage immediat de la surface. Dans cette region, l'echantillon prend les caracteristiques d'un echantillon fortement dope de type p des que la temperature depasse 900c. Ce phenomene est bien mis en evidence dans le cas de la surface si(111) reconstruite 77, il a ete attribue a un effet de relaxation des contraintes residuelles effectivement presentes sur cette surface