Abstract FR:

Les premiers stades de la formation des interfaces ag/si(100) et cu/si(100) a temperature ambiante ont ete etudies in situ par reflectivite differentielle (1. 5 ev-5. 0 ev) associee a des techniques classiques de surface: photoemission uv (ups), spectroscopie auger (aes) et diffraction d'electrons lents (del). Pour des depots plus importants (quelques dizaines a quelques centaines d'angstroms), des etudes ex situ de la reflectivite dans l'infra-rouge (0. 025 ev-1 ev) et de la conductivite electrique (entre 4k et 300k) sont egalement presentees. Un reflectometre differentiel, construit pour ces etudes et permettant de mesurer des variations du facteur de reflexion induites par des fractions de monocouche, est decrit en detail. La reflectivite differentielle est particulierement bien adaptee a l'observation des electrons de la bande de conduction du metal, difficiles a observer en photoemission. Ainsi, dans le cas du cuivre, nous avons observe d'importantes modifications de la reflectivite au niveau du bord d'absorption du cuivre indiquant la formation d'un siliciure. Cette information s'est revelee complementaire des resultats obtenus en photoemission et en spectroscopie auger, a savoir le deplacement en energie de la bande d du cuivre et le dedoublement de la raie auger lvv du silicium. Les etudes de resistivite et de reflectivite montrent pour certains depots de cuivre ou d'argent une certaine discontinuite entre les grains metalliques, meme pour des epaisseurs de plusieurs centaines d'angstroms. Ces resultats ont pu etre decrits par un modele de maxwell-garnett