Abstract FR:

Dans ce travail nous pensons avoir montre l'interet de la methode dlts et de certaines de ces variantes (er. Dlts, cinetiques de remplissage,. . . ) pour l'etude de la degradation des structures mos par l'injection de type tunnel fowler-nordheim d'electrons. Cette methode dlts, associee a des methodes plus anciennes, mais encore performantes, nous a permis de mieux cerner le probleme du vieillissement; en particulier nous avons montre que: la presence d'acide chlorhydrique (dans l'atmosphere d'oxydation) influence les taux de creation des defauts a l'interface sio#2-si et dans la couche de sio#2 avant et pendant la degradation; le mecanisme physique de la degradation de nos echantillons peut etre explique par un phenomene d'ionisation par impact; l'etude des etats d'interface rapides et plus precisement de leur section efficace de capture nous permet de penser que la degradation induit des defauts de nature differente de celle des defauts intrinseques. Ces defauts crees pourraient etre de type donneur; le vieillissement des dispositifs mos est du a l'augmentation simultanee de la section efficace de capture et de la densite des etats d'interface