thesis

Nucleation et croissance de couches diamant elaborees par cvd sur differents substrats de silicium. Etude par spectroscopies d'electrons : electrons auger (aes), photoemission x (xps), pertes d'energies (els)

Defense date:

Jan. 1, 1995

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Abstract FR:

Les couches de diamant obtenues par la technique cvd font l'objet de nombreuses recherches en vue d'applications industrielles. Les proprietes des films diamant etant fortement liees a la nature des joints de grains, les applications electroniques et optiques sont difficilement realisables tant que l'heteroepitaxie des films n'est pas atteint. La nucleation et la croissance du diamant sont fortement influencees par la presence du carbone et/ou de defauts a la surface du support et passent par plusieurs etapes (interface carbure, formation de sites de nucleation, diffusion de surface)