Abstract FR:

Dans ce travail, nous avons etudie et perfectionne l'application de spectroscopie de charge d'espace de jonctions schottky a la caracterisation de la densite d'etats localises dans les semiconducteurs amorphes. Nous nous sommes tout d'abord concentres sur l'etablissement d'un cadre theorique precis pour modeliser la reponse des etats localises au signal alternatif permettant de mesurer l'admittance de la structure. Nous avons ensuite poursuivi une double demarche. D'une part, nous avons pousse aussi loin que possible dans le cadre d'hypotheses simplificatrices, les calculs analytiques pour avoir des expressions explicites de l'admittance de la structure schottky et d'autre part, nous avons developpe une methode de simulation numerique qui nous a permis de lever certaines hypotheses simplificatrices. Cette double demarche nous a permis en particulier de developper une nouvelle methode de caracterisation des structures schottky a partir des mesures de capacite en fonction de la polarisation et d'etudier l'impact des hypotheses simplificatrices sur les parametres physiques du materiau determines a partir des expressions analytiques de la capacite. Ainsi, nous avons pu mesurer avec precision pour nos materiaux, la densite d'etats au niveau de fermi et l'integrale de la densite d'etats entre le niveau de fermi et le milieu de la bande interdite. Nous avons enfin applique ces techniques a l'etude des alliages silicium-germanium amorphes. Nous avons observe pour ces materiaux une forte augmentation de la densite d'etats avec le taux du germanium incorpore