Abstract FR:

La microstructure du carbure de silicium dope a l'aluminium a ete etudiee a l'etat brut de frittage et apres deformation a 1600#oc par flexion trois points et par compression a 1900#oc. Les examens des echantillons deformes ont ete effectues par microscopie electronique en transmission. Les echantillons non deformes contiennent un nombre important des fautes de croissance et de reseaux de dislocations dans les cristaux de carbure de silicium 4h et 6h. L'analyse de quelques defauts est presentee. L'examen des echantillons deformes met en evidence l'activation du systeme de glissement basal. Le caractere des dislocations glissiles a pu etre determine dans de nombreux cas. Ces dislocations sont dissociees dans le plan de base en dislocations partielles de shockley. Des phenomenes de montee des dislocations ont ete observes et plusieurs mecanismes ont pu etre proposes. Dans certains cas il y a nucleation de boucles sur la dislocation partielle. La montee des dislocations est alors accompagnee de la formation de debris sous forme de nombreuses boucles nucleees autour des dislocations. Dans d'autres exemples, la montee des dislocations s'effectue dans les plans prismatiques 1010 sans formation apparente de boucles residuelles. Des mecanismes de glissement devie ont ete observes pour les dislocations a caractere vis et dans plusieurs exemples le plan de deviation a ete determine. De fortes interactions entre les dislocations vis (b//c) ont ete mises en evidence. Il existe egalement une deformation intergranulaire importante se traduisant par la formation de reseaux de dislocations intergranulaires resultant de l'activation de sources dans les joints de grains sans cavitation notable aux joints triples. Une modification importante de la structure des joints triples. Une modification importante de la structure des joints de grains a ete souvent observee sous la forme d'un microfacettage cons