Abstract FR:

Le but de ce travail est la realisation et la caracterisation electrique de transistors bipolaires npn a emetteur entierement constitue de silicium amorphe hydrogene dope au phosphore. Mise au point d'un procede de fabrication. La caracterisation electrique des premiers transistors a permis de mettre en evidence: l'effet transistor, un gain en courant de 150 ayant ete atteint; la necessite de diminuer la resistivite de la couche de a-si:h dope. Obtention d'une bonne reproductibilite et d'une meilleure conductivite en jouant sur les parametres de depot. Un modele simple de conduction a permis de mettre en evidence les parametres physiques importants qui peuvent ameliorer les caracteristiques electriques des transistors. De nouveaux transistors ont ete fabriques en tenant compte de ces resultats. L'analyse de leur comportement electrique montre que la resistivite de la couche de a-si:h joue un role preponderant. Une etude en fonction du dopage de la base a montre que les gains obtenus etaient systematiquement superieurs a leur contrepartie a emetteur en silicium monocristallin