Abstract FR:

Ce travail s'inscrit dans le cadre d'un projet visant au developpement d'integrations de type heterogene pour des applications en optoelectronique et capteurs. La finalite est l'amelioration de la qualite des couches obtenues dans le cas de materiaux a fort desaccord de maille. L'etude et la realisation d'un dispositif experimental permettant la croissance de semiconducteurs composes est presentee. Le principe technologique retenu est celui de la croissance epitaxique en phase vapeur basse pression aux organometalliques assistee par des photons. Le systeme est dote d'un outil original de suivi in situ du processus de croissance base sur la detection de la modulation de l'intensite du courant de photoemission au niveau du seuil. L'interet des photons dans la stimulation du processus de croissance est clairement mis en evidence suite a une analyse des differents travaux realises de part le monde. De plus, il est montre que la qualite des couches obtenues sous irradiation photonique peut etre amelioree grace a un mecanisme active par la recombinaison non-radiative des porteurs photogeneres. La derniere partie concerne l'interpretation du signal photoemis, et en particulier de l'origine physique des oscillations du courant de photoemission observees experimentalement par j. N. Eckstein et al lors de la croissance de gaas par ejm. Il est montre que les proprietes de photoemission dependent de la nature chimique des atomes adsorbes et de leur configurations locales. Dans cette voie, nous avons developpe un modele theorique associant un modele simple de croissance a un modele atomique de photoemission. Les resultats obtenus montrent un bon accord avec le comportement observe experimentalement et mettent en evidence sa relation avec les mecanismes d'adsorption de ga, d'as2, de la rugosite de la surface en cours de croissance et du type de croissance (2d et 3d)