Abstract FR:

Étude des propriétés électriques et optiques des centres DX dans l'alliage élaboré par épitaxie en phase vapeur. Étude de la structure électronique par mesures de transport sous pression et champ magnétique intense. La position des centres DX dépend de la densité de dopage. On confirme par effet Mössbauer l'existence de niveaux DX profond, pour x=0. 3 et peu profond SnGa