Abstract FR:

Des couches minces de cuinse 2, cuins 2 et cuin(s xse 1 - x) 2 ont ete deposees en utilisant une methode simple et a faible cout basee sur le transport chimique a courte distance en tube ferme. La structure des couches minces a ete successivement etudiee par diffraction des rayons x, spectroscopie de photoelectrons x (xps) et microanalyse. Il apparait que suivant les conditions de depot, les cristallites adoptent tantot la structure sphalerite, tantot la structure chalcopyrite. Par ailleurs, les valeurs des parametres de maille experimentaux obeissent a la loi de vegard. Des mesures du coefficient de hall et de conductivite electrique en courant continu ont ete effectuees en fonction de la temperature entre 150 et 500 k sur une premiere serie d'echantillons de cuinse 2. Elles ont permis de mettre en evidence la presence d'une bande d'impuretes situee juste sous la bande de conduction. Pour tous les autres echantillons, les variations experimentales de la conductivite electrique et du pouvoir thermoelectrique ont ete etudiees dans un domaine de temperature allant de 15 a 500 k. Une contribution des joints de grains aux proprietes de transport a ete discutee sur la base de l'ensemble des resultats experimentaux. Il apparait qu'aux basses temperatures, la conduction s'effectue soit par sauts dans les etats localises d'une bande d'impuretes, soit par effet tunnel dans le cas des echantillons degeneres. A haute temperature, l'emission thermoionique a travers les joints de grains devient predominante. Une etude thermique du vieillissement electrique a permis de mettre en evidence la bonne stabilite des composes cuinse 2 et cuin(s xse 1 - x) 2 en fonction du temps et de la temperature.