thesis
Etude par diffusion raman de l'interaction phonon-porteurs libres dans les semiconducteurs dopes : application au gaas implante be ou epitaxie si
Institution:
Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008)Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
Pas de résumé disponible.
Abstract FR:
Evolution des profils en fonction de la realisation de ces couches. Il est possible de determiner les caracteristiques de ces couches par une methode non destructive