Abstract FR:

Les techniques de spectroscopie capacitive (dlts) et de microscopie electronique a balayage en mode de courant induit (sem-ebic) ont ete mises en uvre afin d'etudier les proprietes electroniques des joints de grains de bicristaux de silicium =25 de type n. Ces etats d'interface se comportent comme des pieges pour les porteurs majoritaires (electrons) et comme des centres de recombinaison pour les porteurs minoritaires (trous). Il ressort de ces mesures electriques que l'activation du joint de grains est attribuee aux colonies de precipites (cu, co) le long du plan du joint, notons que la nature de l'impurete metallique (cu ou co) n'influence pas notablement cette recombinaison. Le traitement thermique joue un role predominant sur l'activite electrique observee (c#m#a#x50% pour les bicristaux trempes a 950#oc et c#m#a#x<5% pour les bicristaux refroidis lentement de 950#oc jusqu'a 20#oc). En revanche, la nature de ces siliciures (cu#3si ou cosi#2) est a l'origine d'une distribution d'energie d'etats d'interface differente caracterisee soir par un continuum d'etats (cu: bicristaux bruts trempes) soit par un niveau discret (cu: bicristaux bruts refroidis lentement et co: bicristaux recuits)