Abstract FR:

Le phosphure d'indium (inp) est un materiau semiconducteur interessant pour ses proprietes electriques dans le domaine de la microelectronique et de l'optoelectronique. Dans le but de maitriser son elaboration et de mieux comprendre ses proprietes, il est necessaire de determiner la concentration des elements traces ou des dopants presents dans le materiau. Les methodes nucleaires d'activation par particules chargees sont actuellement parmi les plus sensibles pour l'analyse d'impuretes dans les materiaux, et surtout elles sont quantitatives. Les possibilites analytiques offertes par des protons de haute energie (superieure a 20 mev) ont ete etudiees et appliquees au dosage du chrome, cuivre, zinc et fer dans inp et in. Les sensibilites obtenues sont comprises entre 10**(13) et 8. 10**(13) a nontcm**(3). La presence de quelques impuretes legeres a egalement ete recherchee dans inp. Oxygene et carbone ont ete doses a l'aide de tritons de 6 mev et de deutons de 8 mev respectivement, avec une sensibilite de 4. 10**(13) a nontcm**(3) et 2. 10**(14) a nontcm**(3). Les protons de 13 mev ont permis le dosage du soufre dans l'indium avec une limite de detection de 2. 10**(15) a nontcm**(3). Le silicium a ete dose au moyen de tritons de 3 mev : une limite de quelques 10**(16) a nontcm**(3) a ete obtenue. Des comparaisons avec d'autres methodes de caracterisation telles que sims, ssms ont ete faites. Nous avons ensuite etudie d'une part la repartition de ces impuretes dans des lingots prepares par la methode czochralski sous encapsulant liquide (lec) et d'autre part suivi le transfert de ces impuretes au cours de la cristallogenese. Nous presentons enfin les caracteristiques electriques et cristallines des lingots d'inp etudies et nous avons essaye de les relier a la presence de ces elements