Abstract FR:

A partir des etudes entreprises pour mener a bien ce travail, et, en particulier, en partant des mesures realisees, on est tente de deduire que le c et le si suivent un comportement general comparable a celui des autres elements du groupe iv qui produisent notamment une compensation des niveaux actifs a des concentrations de l'ordre de 10##1#6 at. Cm##3. On a trouve des correlations entre les concentrations atomiques mesurees de si et de c et la presence des niveaux mesures par tsc. Cette correlation existe aussi avec la resistivite. Ce travail etait necessaire, car, a defaut de trouver des grandes correlations, des limites ont pu etre etablies. La presence du c et du si a tres faible concentration (1 ppm) ne laisse pas la resistivite du cdte standard (10#8-10#9). Les niveaux induits restent difficiles a assigner; la bande 0. 27-0. 29 ev semble suivre la concentration de c; la bande 0. 17-0. 19 ev accompagne en permanence le si. Nous avons developpe un systeme automatique de mesures, pour les methodes d'analyse installe au 4 mev du crn, afin de determiner des concentrations et des profils par les techniques nucleaires: nra, hixe, rbs et erda. Celui-ci complete l'equipement d'autres experiences consacrees a la physique des materiaux