Abstract FR:

Ce travail a pour objet l'étude de films d'oxydes Ti-x Nbx O₂ et Ti -x Vx O₂ amorphes (0 ≤x ≤ 1) obtenus par pulvérisation cathodique R. F. La première partie traite de l'élaboration et de la caractérisation chimique des dépôts amorphes. Une analyse des différents paramètres de la pulvérisation nous a permis d'optimiser le protocole expérimental de fabrication des couches. Nous avons ensuite déterminé les propriétés structurales de ces matériaux après recuit : identification des phases apparaissant au-dessus de la température de transition amorphe →cristal et caractérisation de la microstructure. L'absorption X des échantillons Ti-x Nbx O₂ amorphes a été mesurée par RéflEXAFS et détection d'électrons au seuil K du titane. L'analyse des seuils permet d'envisager un transfert électronique partiel entre atomes métalliques. Les mesures de résistivité et de pouvoir thermoélectrique sur les films Ti-x Nbx O₂ amorphes montrent que les porteurs sont localisés et que la conduction s'effectue par sauts selon le mécanisme décrit par Hurd. La similitude entre le comportement des phases amorphes et celui des phases cristallines haute température entraîne que, pour ces dernières, le transport électronique s'effectue également par sauts.