thesis

Couplage fort exciton-photon dans les microcavites semiconductrices iii-v

Defense date:

Jan. 1, 2000

Edit

Institution:

Paris 7

Disciplines:

Directors:

Abstract EN:

Pas de résumé disponible.

Abstract FR:

Ce memoire est consacre a l'etude du couplage fort exciton-photon dans les microcavites semiconductrices iii-v realisees par epitaxie par jets moleculaires. Ces structures contiennent un ou plusieurs puits quantiques places dans une cavite fabry-perot entouree par deux miroirs de bragg. L'interaction entre les excitons et le mode de la cavite donne lieu a des etats mixtes exciton-photon appeles polaritons de cavite. Dans un premier temps nous etudions les proprietes optiques de ces structures en regime continu. On met en evidence que dans les structures ou le dedoublement de rabi est grand devant l'energie de liaison de l'exciton ls il faut tenir compte de l'ensemble des etats excitoniques pour decrire le regime de couplage fort. Nous developpons un modele de reponse lineaire qui nous permet de reproduire les spectres de reflectivite experimentaux. Toutefois notre etude porte essentiellement sur les mecanismes qui gouvernent la dynamique de l'emission resonante des polaritons de cavite. Nous mettons en evidence plusieurs phenomenes qui resultent de la forte dispersion dans le plan des etats de polaritons proches de k i i = 0. On montre en particulier que la distribution angulaire de l'emission rayleigh resonante est modifiee par le regime de couplage fort. Cette emission est anisotrope et distribuee essentiellement sur une couronne dans l'espace des k i i dont le rayon est fixe par le vecteur d'onde d'excitation dans le plan. On relie la largeur angulaire de cette couronne a la largeur spectrale des polaritons. Enfin on etudie la dynamique de l'emission resonante des polaritons dans la direction de la reflexion speculaire. On met en evidence la propagation des polaritons dans le plan de la microcavite, phenomene resultant