Abstract FR:

Croissance reproductible de materiaux de haute purete qui se caracterisent dans le cas de gaas par une concentration en impuretes residuelles voisine de e14 porteurs par cm**(3), une mobilite electronique a 77k superieur a 110. 000 cm**( non2)v. S et dans le cas du gaalas par un niveau de dopage residuel de e15 porteurs par cm**(3) pour une teneur en aluminium de 25%. La caracterisation des interfaces par microscopie demontrent la croissance reproductibles d'heterojonctions aux transitions de l'ordre de la monocouche