Abstract FR:

Le silicium-sur-isolant (soi) a connu un regain d'interet ces 10 dernieres annees avec l'avenement de nouveaux materiaux de bonne qualite cristalline. De nombreux laboratoires ont tente de montrer les possibilites de gain en performances apportees par ce materiau dans les filieres cmos vlsi. C'est dans ce cadre que nous avons mene une etude sur la faisabilite d'une filiere submicronique sur soi. Cette etude presente les specificites et les avantages potentiels des dispositifs mos realises sur soi. Nous avons eu l'occasion d'etudier les performances des dispositifs sur films epais et sur films minces. Nous avons etudie les effets parasites associes: echauffement, canal parasite de flancs, transistor face arriere et effet bipolaire lateral. Ce dernier apparait aujourd'hui comme la principale limitation de cette technologie sur soi en films minces. Note etude a dans le meme temps consiste a preparer une filiere cmos 0,5 micron double metal (w-al). Le passage a des films tres minces a necessite le developpement d'outils specifiques de suivi de filiere. Il a aussi et peut-etre surtout, demande la definition et l'analyse d'etapes de procede specifiques d'un procede cmos submicronique sur soi: isolement, ajustements de tensions de seuil, alignement de photos. . . Notre analyse des procedes disponibles nous a amene a donner des limitations dans la course vers l'amincissement du film soi. Nos conclusions montrent que des procedes specifiques sont necessaires pour une filiere cmos sur soi et que des circuits faible consommation ne seront obtenus, en technologies profondement submicroniques, que par de grandes avancees sur le dispositif lui-meme et au prix de modifications electriques sur les circuits: conception, alimentation. . .