Abstract FR:

Dans les systemes desordonnes, un mecanisme typique de transport est la conduction par saut a distance variable active thermiquement entre etats electroniques localises. La resistivite prend la loi en temperature =#0 exp(t#0/t)#3 avec un exposant couremment egal a 1/4 c'est le regime de mott ou 1/2 pour le regime de efros-shklovskii(es). Ce dernier regime est la consequence de l'existence d'un gap de coulomb du a l'interaction coulombienne electron-electron entre etats localises. L'essentiel de ce travail porte sur l'etude de l'influence d'un fort champ magnetique sur la conduction par saut a distance variable (vrh) dans les semi-conducteurs p-cuinte#2 et si(p,b). Dans l'echantillon p-cuinte#2, a champ magnetique nul, la conduction par vrh est presente dans un domaine de temperature inhabituellement etendu (jusqu'a 90 k). A basse temperature, la conduction du type (es) (s=1/2) laisserait la place a celle de mott par un accroissement de la temperature ecrantant ainsi l'interaction inter electronique. A champ evanescent, la composante negative de la magnetoresistance est expliquee en termes d'interferences quantiques entre plusieurs chemins de percolation. L'originalite du traitement des donnees experimentales en champ intense, reside dans la modelisation basee sur les formalismes recents de aharony et de shlimak qui integrent un caractere universel de la transition. Ceci nous a permis de suivre pas a pas en fonction du champ la variation de la temperature de transition t#c, en dessous de laquelle le gap de coulomb intervient reellement. Il est montre qu'un accroissement du champ a pour effet de repousser le domaine d'observabilite du regime de es vers les temperatures les plus basses. Ce fait est confirme sur si(p,b) ou, a champ magnetique nul, n'existe que le regime de es : un champ intense induit la transition vers le regime de mott. Il apparait donc que la localisation induite par un fort champ magnetique, au lieu de privilegier le regime de es, favoriserait plutot les sauts a courte distance et donc reduirait l'efficacite du gap de coulomb.