Abstract FR:

L'objet de cette these est l'etude de l'effet stark optique de l'exciton dans les semiconducteurs, les experiences etant limitees aux cas de l'arseniure de gallium massif et des structures a puits quantiques gaas/gaalas. Le phenomene apparait pour une excitation lumineuse dont l'energie est legerement inferieure a l'energie de bande interdite du semiconducteur et provient d'un couplage non resonnant lumiere-matiere. Il se traduit par un decalage des energies de transition. Le comportement temporel de l'effet stark optique en regime femtoseconde met en evidence la complexite de l'interpretation des experiences pompe-test quand la duree des impulsions devient plus courte que le temps de dephasage de l'excition. Generalisant la theorie du regime permanent au cas dependant du temps, nous montrons comment les processus coherents doivent etre pris en compte pour obtenir une interpretation correcte des experiences. Loin d'etre une simple source d'artefacts ces phenomenes donnent la possibilite d'obtenir la dynamique reelle par transformation de fourier. Enfin nous avons montre que l'excitation lumineuse elle-meme produit une levee de degenerescence des niveaux d'energie dont l'origine provient de la structure de bande du materiau. Nous avons pu verifier experimentalement notre approche theorique a l'aide de faisceaux de polarisations bien definies, lineaires ou circulaires