Abstract FR:

L'utilisation d'une méthode d'optimisation pour déterminer les éléments du modèle électrique linéaire équivalent du transistor à effet de champ sur arséniure de gallium (MESFET) est présentée dans ce mémoire. La sensibilité et la précision de cette méthode sont analysées, une méthode de préoptimisation est alors proposée permettant d'améliorer la précision des résultats. Un banc de caractérisation électrique statique et dynamique piloté par calculateur a été mis au point. Les points importants de cette étude sont la réalisation d'un traceur de caractéristiques statiques performant et l'étude des méthodes d'élimination de l'environnement de mesure microonde du composant. Les variations des éléments du modèle électrique équivalent en fonction de la puissance lumineuse sont présentées, elles montrent que seul un petit nombre d'entre eux subissent une variation significative. La possibilité de commande de la fréquence d'un oscillateur par un flux lumineux est montrée théoriquement et vérifiée expérimentalement. L'étude et la réalisation de deux amplificateurs à bande étroite permettent de mettre en évidence la commande du gain par la lumière avec une dynamique pouvant atteindre 20 dB. Une méthode graphique permettant la détermination de l'impédance de contre-réaction d'un amplificateur à gain plat sur une large bande de fréquence est présentée. Cette méthode a été utilisée pour étudier un amplificateur à gain plat adapté à l'entrée et à la sortie entre 4 et 8 GHz. Un certain nombre d'applications potentielles sont également présentées ainsi qu'une structure de transistor à grille inversée permettant d'augmenter l'influence des effets photoélectriques.