Abstract FR:

Les proprietes magneto-optiques de structures semiconductrices de puits quantiques gaas/gaalas en modulation de dopage ont ete explorees. Avec des systemes dopes p, les proprietes individuelles de l'electron ont ete etudiees par photoluminescence et excitation de photoluminescence en configuration de faraday et de voigt. Les effets du melange des bandes et de remplissage ont ete identifies. Une methode d'evaluation du facteur de lande effectif de l'electron est proposee, et les mecanismes de la relaxation du spin electronique sont determines. Les effets collectifs d'un gaz d'electrons sont explores en configuration de faraday sur des systemes dopes n par l'analyse de l'intensite de luminescence de la premiere sous-bande electronique excitee. Un mecanisme d'inhibition de la relaxation inter-sous-bande et la manifestation du decalage de spin non-lineaire en champ magnetique sont mis en evidence. Un modele simple d'equation de bilan des populations de niveaux de landau confirme ces interpretations. Un processus de type auger est egalement identifie. Un comportement singulier autour du facteur de remplissage unite est caracterise, et l'hypothese de la formation de skyrmions est avancee pour interpreter ce phenomene