Abstract FR:

Ce travail concerne l'etude des reseaux lamellaires graves dans des structures multicouches dans les domaines x et x-uv. Ce type de composants allient a la fois les proprietes diffractantes des reseaux et selectives des multicouches. Ils sont realises en combinant les techniques de deposition de couches nanometriques a celle de la microlithographie developpee pour la realisation des circuits integres. Une approche cinematique simple permet de rendre compte globalement des figures de diffraction observees. Cependant une determination theorique precise des efficacites de ces reseaux necessite un calcul dynamique. On a developpe un formalisme pour evaluer les efficacites des reseaux lamellaires stratifies. Cette theorie permet d'obtenir la position et l'intensite des pics de bragg. Les resultats ont ete obtenus a l'aide de trois dispositifs experimentaux equipes de goniometre -2. L'un d'entre eux utilise le rayonnement caracteristique emis a 1. 33 nm par un tube a rayons x a anode de cuivre (raies cu l). Il permet uniquement d'effectuer des mesures relatives. Deux autres montages installes aupres de super-aco (lure) nous ont permis d'effectuer des mesures absolues entre 150 ev et 1000 ev. Deux modes d'acquisitions ont ete utilises: echantillon fixe et detecteur mobile, detecteur fixe et echantillon mobile. Ces systemes constituent un element prometteur comme coupleur de sortie dans les cavites pour laser x, comme separateur de faisceau pour interferometrie x-uv et aussi comme monochromateur x-uv lumineux et a faible bande passante