Abstract FR:

Dans la premiere partie du memoire sont etudies les mecanismes de formation de defauts pendant la croissance cristalline, les contraintes s'exercant sur les couches heteroepitaxiales, la possibilite de relaxation de ces contraintes par creation de defauts ainsi que les solutions pratiques envisagees pour eliminer ces defauts. Dans la seconde partie sont presentes et analyses les resultats experimentaux obtenus sur les structures (ca,sr)f::(2)/gaas et gaas/(ca,sr)f::(2) realisees par epitaxie par jets moleculaires. Sont consideres les proprietes des interfaces, les relations d'epitaxie, les mecanismes de croissance et les contraintes. Finalement, sont discutees les applications potentielles de ce type de structures et leur compatibilite avec les proprietes optiques et electriques des deux materiaux elabores