Abstract FR:

Le travail est consacre a l'etude des dispositifs mos au substrat isolant. Apres une analyse des avantages et inconvenients de cette technologie par rapport a celles sur substrat massif, l'auteur etudie a l'aide de simulateurs numeriques, le comportement interne de la structure a desertion profonde. Une comparaison entre le soi de type simox et le sos est developpee. La comprehension des mecanismes physiques entrant en jeu dans les diodes controllees par grille, permet d'elaborer un modele precis de transistor mos