thesis

Mecanismes de croissance et de constitution d'interfaces dans les couches minces de semiconducteurs amorphes hydrogenes etudies par ellipsometrie spectroscopique in situ

Defense date:

Jan. 1, 1987

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Institution:

Paris 7

Disciplines:

Physics

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Abstract EN:

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Abstract FR:

Etude de la croissance de couches minces de silicium, germanium et d'alliages silicium-germanium amorphes hydrogenes deposees par decomposition radiofrequence de silane, germane et d'hydrogene. Etude des mecanismes d'initiation de la couche en fonction des conditions de preparation. Analyse de l'influence de la nature du support sur le depot des premieres couches monomoleculaires