thesis
Etude de la neutralisation du bore et de certaines impuretes metalliques (or, titane, manganese, chrome) par implantation d'hydrogene dans le silicium monocristallin
Institution:
Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008)Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
L'hydrogene implante dans si:b, entre 80 et 140**(o)c neutralise le dopant par formation d'un complexe bh electriquement inactif. Etude des conditions d'incorporation de l'hydrogene et du processus de reactivation du dopant. Effet du traitement d'hydrogenation sur les niveaux d'energie des impuretes. Effet d'un recuit thermique a 495**(o)c